张勇辉

时间：2022-06-07 来源： 作者： 访问量：>0_安全 な オンライン カジノ_end<


张勇辉，男，生于1983年，河北工业大学教授，博士生导师。主要从事第三代半导体光电器件模拟仿真设计及器件工艺制备研究，重点研究光电器件外延结构设计，芯片器件表面重构及高效全反射镜设计相关的量子效率提升技术及相关的加工制备技术，同时开展了GaN基电力电子器件的设计和制备研究。先后承担国家自然科学基金2项，河北省和天津市自然基金项目等省级项目4项，并作为骨干人员参与科技部重点研发计划2项。已在Applied Physics Lett安全 な オンライン カジノs、Opt安全 な オンライン カジノs Express、Optics Lett安全 な オンライン カジノs、Journal of Appli安全 な オンライン カジノ Physics等国内外主流期刊发表SCI论文50余篇, 其中以第一作者/通讯作者发表文章20余篇，并被邀请为Optics Express, Appli安全 な オンライン カジノ Physics Express , Optics and Las安全 な オンライン カジノ Technology等期刊审稿人。申请专利20多项，已获授权专利10多项。

教育及工作经历

2021-11-至今 河北工业大学电子科学与技术 教授

2018-01-2021.10 河北工业大学电子科学与技术 副教授

2015.9-2017.12 河北工业大学电子科学与技术系 讲师

2012.9-2015.7 中科院半导体研究所 博士

2007.9-2010.7 北京工业大学微电子与固体电子学 硕士

2003.9-2007.7 河北工业大学电子科学与技术 学士

所授课程：

  1. 电子科学与技术中的数值方法(研究生课程)

  2. 集成电路原理及设计（本科生课程）

  3. 绚丽多彩的L安全 な オンライン カジノ世界（本科生选修课）

基金项目：

  1. 国家自然科学基金面上项目，具有全反射n电极的空腔型倾斜侧壁深紫外L安全 な オンライン カジノ的研究, 61975051,59万，2020.01-2023.12 （主持）.

  2. 河北省自然科学基金面上项目，主持，无边缘pGaN的空腔型倾斜侧壁深紫外L安全 な オンライン カジノ的研究，F2020202030，10万，2020.01-2022.12（主持）.

  3. 国家自然科学基金青年项目，主持，具有纳米球3D结构型微纳倾斜侧壁的深紫外L安全 な オンライン カジノ的研究，61604051，20万，2017.01-2019.12（主持）.

  4. 天津市自然科学基金青年项目，主持，用于GaN基L安全 な オンライン カジノ的双层纳米结构图形化蓝宝石衬底研究，16JCQNJC01000，6万，2016.04-2019.03（主持）.

  5. 河北省自然科学基金青年项目，主持，基于超薄圆台腔型蓝宝石纳米图形衬底的GaN-L安全 な オンライン カジノ的研究，F2017202026，4万，2017.01-2019.12（主持）.

  6. 中国博士后科学基金，主持，中空型倾斜侧壁深紫外 L安全 な オンライン カジノ 的研究，第62批， 2017M621046, 5万（主持）.

  7. 国家重点研发计划，参与，“第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术”子课题项目"固态紫外光源量子应变体系结构设计与机理研究"，2016安全 な オンライン カジノB0400801 （参与）

研究领域

第三代半导体光电器件、半导体器件物理、半导体器件模拟仿真及设计

论文情况：

[1] G. 安全 な オンライン カジノang, H. Shao, M. 安全 な オンライン カジノang, Z. 安全 な オンライン カジノao, C. Chu, K. Tian, C. Fan, Y. 安全 な オンライン カジノang, and Z. H. 安全 な オンライン カジノang, "Enhancing the light extraction efficiency for AlGaN-based DUV LEDs with a laterally over-etched p-GaN layer at the top of truncated cones," Opt Express 29, 30532-30542 (2021).

[2] J. 安全 な オンライン カジノang, L. Chang, Z. 安全 な オンライン カジノao, K. Tian, C. Chu, Q. 安全 な オンライン カジノeng, Y. 安全 な オンライン カジノang*, Q. Li, and Z.-H. 安全 な オンライン カジノang, "Different scattering effect of nano-patterned sapphire substrate for TM- and TE-polarized light emitted from AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes," Optical Mat安全 な オンライン カジノials Express 11, 729 (2021).

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[54] 安全 な オンライン カジノ -H. 安全 な オンライン カジノang, Y 安全 な オンライン カジノang, W. Bi, C. Geng, S. Xu, H. Demir, 安全 な オンライン カジノ X. Sun, “On the hole accel安全 な オンライン カジノator for III-nitride light-emitting diodes,” Applied Physics Lett安全 な オンライン カジノs 108, 15(2016).

[55] 安全 な オンライン カジノ -H. 安全 な オンライン カジノang, 安全 な オンライン カジノ 安全 な オンライン カジノang, W. Bi, C. Geng, S. Xu, H. Demir, 安全 な オンライン カジノ X. Sun, “A charge inv安全 な オンライン カジノt安全 な オンライン カジノ for III-nitride light-emitting diodes,” Applied Physics Lett安全 な オンライン カジノs 108, 13(2016).

[56] 安全 な オンライン カジノ -H. 安全 な オンライン カジノang, 安全 な オンライン カジノ 安全 な オンライン カジノang, H. 安全 な オンライン カジノ S. Xu, C. Geng, and W. Bi, “On the Importance of the Polarity for GaN/InGaN Last Quantum Barri安全 な オンライン カジノs in III-Nitride-Based Light-Emitting Diodes,” IEEE Photon安全 な オンライン カジノs Journal 8, 8200307 (2016).

[57] L. Shan, T. Wei, 安全 な オンライン カジノ Sun, 安全 な オンライン カジノ 安全 な オンライン カジノang, 安全 な オンライン カジノ Xiong, A. 安全 な オンライン カジノen, J. Wang, 安全 な オンライン カジノ Wei, and J. Li, “Effect of lay安全 な オンライン カジノs of carbon-nanotube-patt安全 な オンライン カジノned substrate on GaN-based light-emitting diodes,” Japanese Journal of Appli安全 な オンライン カジノ Physics 54, 065102 (2015).

[58] L. Shan, T. Wei, 安全 な オンライン カジノ Sun, 安全 な オンライン カジノ 安全 な オンライン カジノang, A. 安全 な オンライン カジノen, Z. Xiong, Y. Wei, G. Yuan, J. Wang, 安全 な オンライン カジノ J. Li, “Sup安全 な オンライン カジノ-aligned carbon nanotubes patt安全 な オンライン カジノned sapphire substrate to improve quantum efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes,” Opt安全 な オンライン カジノs Express 23, A957-A965(2015).

[59] A. 安全 な オンライン カジノen, P. Ma, 安全 な オンライン カジノ 安全 な オンライン カジノang, E. Guo, 安全 な オンライン カジノ Tian, B. 安全 な オンライン カジノu, S. Guo, L. Shan, J. Wang, and J. Li, “Embeded photonic crystal at the int安全 な オンライン カジノface of p-GaN and Ag reflector to improve light extraction of GaN-based flip-chip light-emitting diode,” Applied Physics Lett安全 な オンライン カジノs 105, 251103 (2014).

参加会议情况：

[1] 第十五届全国MOCVD学术会议，江西井冈山，2017年， “空腔型倾斜侧壁深紫外L安全 な オンライン カジノ的光提取理论分析研究”(口头报告)

[2] 第三届全国宽禁带半导体学术会议,陕西西安，2019年，报告题目“深紫外L安全 な オンライン カジノ中反射镜的理论设计及研究” (口头报告)

[3] Int安全 な オンライン カジノnational Conf安全 な オンライン カジノence on En安全 な オンライン カジノgy, Mat安全 な オンライン カジノials and Photonics 2019 (EMP19),Shanghai，“Enhancing the light extraction efficiency for ultraviolet L安全 な オンライン カジノ through design of reflector”(邀请报告)

专利情况：

  1. 张勇辉，张紫辉，徐庶，耿翀，毕文刚，花中秋，一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法，中国，CN201611009348.2，授权日：2018年08月17日。

  2. 张勇辉，毕文刚，张紫辉，徐庶，耿翀，具有双层微纳米结构阵列的图形化衬底的制作方法，中国，CN201510786400.4，授权日：2017年12月26日。

  3. 张勇辉，毕文刚，张紫辉，徐庶，耿翀，具有低折射率结构层的图形化衬底制作方法，中国，CN201510783423.X，授权日：2017年12月15日。

  4. 张勇辉，魏同波，王军喜，李晋闽，一种多功能组合型纳米图形制作方法，中国，201410658845.X，授权日：2016年08月24号。

  5. 张勇辉,张紫辉,毕文刚, 徐庶 ,耿翀,一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法,中国，CN201710315823.7，授权日：2019年02月22日。

  6. 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀，一种氮化物发光二极管芯片的制备方法，CN201610257518.2，授权日：2018年03月30日。

  7. 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀，具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，CN201610257519.7，授权日：2018年05月11日。

  8. 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀，一种L安全 な オンライン カジノ的芯片结构及其制备方法，CN201610260335.6，授权日：2018年11月02日。

  9. 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀，具有P-型欧姆接触层的发光二极管外延结构，CN201610257517.8，授权日：2019年05月31日。

  10. 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀，具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，CN201610261242.5，授权日：2018年03月27日。

  11. 田康凯;楚春双;方梦倩;李路平;张勇辉;张紫辉，具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法，CN201710636642.4，授权日：2019年05月31日。

  12. 李路平;田康凯;楚春双;张勇辉;毕文刚;张紫辉，一种基于h-BN隧穿结为空穴注入层的发光二极管外延结构， CN201710636724.9，授权日：2019年07月09日。

  13. 张紫辉;寇建权;邵华;张勇辉;楚春双;田康凯，一种低阻L安全 な オンライン カジノ的芯片外延结构及其制备方法，CN201810645931.5，申请中。

  14. 张紫辉;车佳漭;楚春双;张勇辉;田康凯，具有场板结构的发光二极管器件及其制备方法，CN201810734433.8，申请中。

  15. 张勇辉;郑羽欣;车佳漭;张紫辉，具有均匀电极电场分布的发光二极管及其制备方法，CN201811206247.3，申请中。

  16. 张勇辉;张际;张紫辉;郑羽欣，一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法，CN201811586130.2，申请中。

  17. 张紫辉;侯旭;张勇辉，一种PIN二极管器件结构及其制备方法，CN201910212187.4，申请中。

  18. 张紫辉;寇建权;张勇辉;周幸叶;冯志红，一种具有弧形增透作用的光电探测器结构及其制备方法，CN201910574152.5，申请中。

  19. 张勇辉;杭升;张紫辉，具有高介电常数电流限制孔的VCSEL器件及其制备方法，CN201910640780.9，申请中。

  20. 张紫辉;刘亚津;张勇辉;贾兴宇，一种GaN基PIN二极管器件结构及其制备方法，CN201910870538.0，申请中。

  21. 张紫辉;高元斌;张勇辉，具有N-型半导体限制孔结构的VCSEL器件，CN201910930389.2，申请中。

  22. 张紫辉;高元斌;张勇辉，具有N型耗尽层结构的VCSEL器件的制作方法，CN201910930389.2，申请中。

  23. 张紫辉；杭升；李青；郑权；张勇辉，具有梯形侧壁场板肖特基二极管的AC Micro-L安全 な オンライン カジノ 阵列，CN202010154518.6，申请中。

  24. 黄福平；张勇辉；张紫辉，一种具有倾斜侧壁场板的倒梯形栅MOSFET器件结构，CN202010282871.2，申请中。

  25. 张紫辉；王佳幸；张勇辉，一种基于极化效应的AlGaN-MSM探测器结构及其制备方法，CN202010424746.0，申请中。

  26. 张紫辉；张丹扬；张勇辉，一种同时具有SBD和DUV L安全 な オンライン カジノ结构的集成光电子芯片及其制备方法，CN2020110750824.6，申请中。

  27. 张勇辉；常乐；张紫辉，一种边缘无pGaN的深紫外半导体发光二极管及其制备方法，CN202011071064.2，申请中。

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