许居衍院士、吴汉明博士来我校访问交流

 
日前,中国工程院院士许居衍教授、中芯国际技术研发副总裁吴汉明博士应信息工程ビンゴ スロット微电子技术与材料研究所邀请,来我校进行访问交流。李强书记、展永校长、人事处、信息工程ビンゴ スロット等相关部门负责人参加了会见,双方就科研合作、人才培养等进行了交流,许院士和吴博士对我校承担的02重大专项项目及产业化起着重要作用,许院士为我校微电子学与固体电子学学科建设做出了特殊贡献,展永校长为两位学者颁发了荣誉教授聘任证书。

访问期间,许居衍院士、吴汉明博士参观了微电子技术与材料研究所实验室,并在北辰校区信息工程ビンゴ スロット报告厅为我校师生分别做了题为“认识硅技术”、“集成电路技术与产业介绍”的学术报告。许居衍院士介绍了硅技术的概念,硅技术在我国的发展过程以及其团队在硅技术领域的创新工作及成果。吴汉明博士介绍了集成电路技术及产业的发展历史及最新进展,同时详细分析了我国集成电路技术及产业的发展现状及未来趋势。两位教授耐心细致地回答了师生们的提问,同时还结合自身经历,鼓励同学们在今后的人生路上努力工作,勇于奉献。许居衍院士、吴汉明博士还与信息工程ビンゴ スロット教师进行了学术交流,表达了合作意向,并祝愿我校信息工程ビンゴ スロット取得更大的成绩。

许居衍教授1995年当选为中国工程院院士,是中国微电子工业初创奠基的参与者,为中国微电子工业发展做出了重大贡献。他历任国务院电子振兴领导小组顾问,中国半导体行业协会顾问,中国电子学会常务理事,ICSICT国际会议程序委员会委员,国际ASIC会议程序委员会委员,中国工程院电子与信息学部常委,河北省院士联谊会会员。
吴汉明博士毕业于中科院研究生院等离子体专业,美国加州大学伯克利分校半导体等离子体工艺专业博士后,现任中芯国际集成电路制造有限公司技术研发副总裁,兼任国内多所大学客座教授。北京市十四届人大代表,大兴区政协常委。2013年被评为北京市首批北京学者。吴汉明博士获2008年国家科技进步二等奖,2013年国家科技进步二等奖(第一完成人),并承担国家重大科技专项和863等重大科研项目。2001年进入中芯国际集成电路制造(北京)有限公司后,组建了先进刻蚀技术工艺部,领导了先进的刻蚀工艺,在中国实现了用于大生产的双镶嵌法制备工艺,为我国首次实现铜互连提供了工艺基础。