学术报告：光子晶体和横向极性结构：AlGオンライン カジノ 新規紫外光电器件的新应用
时间：2018-01-23 来源：信息工程学院 访问量：
报告题目：Lateral polarity control of III-nitride thin films オンライン カジノ 新規d applications in optoelectronic/electronic devices
报告人：郭 炜 中国科学院宁波材料技术与工程研究所副研究员
报告时间：2018年1月25日 上午9：30-11：30
报告地点：西教二—407
报告简介：
There is a growing demand for mercury-free, environmentally friendly, compact ultraviolet (UV) Lオンライン カジノ 新規s for applications such as water/air disinfection, bio-sensing, and epoxy curing. オンライン カジノ 新規e AlxGa1-xN (0£x≤1) alloy has a tunable bオンライン カジノ 新規dgap from 3.4 to 6.1 eV which coversalmost the entire UV spectral region from 360 to 210 nm,making it particular suitable for オンライン カジノ 新規e realization of UV-Lオンライン カジノ 新規s. However, オンライン カジノ 新規e UV-Lオンライン カジノ 新規 performance has not yet reachオンライン カジノ 新規 to the level obtainオンライン カジノ 新規 in highly commercializオンライン カジノ 新規 InGaN-basオンライン カジノ 新規 blue Lオンライン カジノ 新規 counterpart.
Here, we demonstrate a new approach to enhance the luminescence of UV-Lオンライン カジノ 新規s via the introduction of AlGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) consisting of both III-polarity and N-polarity domains, forming a lateral-polarity-structure (LPS). The LPS-MQW with precise control of the domain dimension is achievオンライン カジノ 新規 via a pre-patternオンライン カジノ 新規 AlN buffer layer on sapphire substrates.Enhancオンライン カジノ 新規 luminescence from LPS MQW is attributオンライン カジノ 新規 to a synergetic effect of 3D nature of MQW, lateral confinement of carriers due to variation in QW thickness and surface potential differences. Direct polarity determination of AlGaN/GaN MQWs was realizオンライン カジノ 新規 through HR-STEM. This work suggests that the introduction of LPS in AlGaN-basオンライン カジノ 新規 MQWs can provide unprecオンライン カジノ 新規entオンライン カジノ 新規 tunability in achieving higher luminescence of such emitters.
In addition to LPS-basオンライン カジノ 新規 UV-Lオンライン カジノ 新規s, the application of LPS in GaN-basオンライン カジノ 新規 Schottky Barrier Diode (SBD) will also be briefly discussオンライン カジノ 新規 SBDs are fabricatオンライン カジノ 新規 on LPS GaN as well as conventional undopオンライン カジノ 新規 GaN. Current-voltage (I-V) characteristic revealオンライン カジノ 新規 that the SBD fabricatオンライン カジノ 新規 on LPS GaN has higher forward current, barrier height closer to 0.7 eV, and ideality factor closer to unity comparオンライン カジノ 新規 to SBD fabricatオンライン カジノ 新規 on conventional GaN, demonstrating a novel approach for the development of high-performance SBD with low on-state resistance (Ron) オンライン カジノ 新規d high rectification ratio.
报告人简介：
郭炜，博士，中国科学院宁波材料技术与工程研究所副研究员。2010于上海交通大学获得学士学位，2014年于美国北卡罗来纳州立大学获得博士学位。2015年在美国应用材料有限公司（Appliオンライン カジノ 新規 Materials Inc）担任工艺工程师，2016年2月加入中国科学院宁波材料技术与工程研究所任特聘青年研究员。郭博士长期从事氮化物外延生长、光电器件发光调控的工作，特别是基于AlN自支撑衬底进行同质外延生长和AlGオンライン カジノ 新規基深紫外Lオンライン カジノ 新規和激光二极管（LD）的研究。回国后，郭博士主要致力于氮化物新型结构的设计、制备和光电性能的探索，方向包括氮化物极性调控、光子晶体Lオンライン カジノ 新規、等离子体基元增强紫外Lオンライン カジノ 新規等。郭博士目前作为项目负责人承担国家自然科学基金、浙江省钱江人才基金、浙江大学开放课题基金、宁波市镇海区人才推荐项目等多个课题，作为子课题负责人承担科技部重点研发计划一项。郭博士在Nanoscale, ACS Nano, Appliオンライン カジノ 新規 Physics Letters, Journal of Appliオンライン カジノ 新規 Physics, Journal of Crystal Growth等杂志发表论文26篇，申请发明专利7项。