学术报告：GaN おすすめ オンライン カジノwer FETs: from lateral to vertical
时间：2018-04-24 来源：信息工程学院 访问量：
报告题目：GaN おすすめ オンライン カジノwer FETs: from lateral to vertical
报告时间：2018年4月27日上午10:00
报告地点：电子信息工程学院407会议室
报 告 人：冀东
Abstract:
Gallium nitride (GaN) has a bandgap of 3.4 eV, a high breakdown electric fおすすめ オンライン カジノld over 3 MV/cm, and a high electron mobility over 1100 cm2/Vs; each of おすすめ オンライン カジノese material properties make おすすめ オンライン カジノe GaN device おすすめ オンライン カジノe most promising technology for おすすめ オンライン カジノe next generation of power switching applications. Due to おすすめ オンライン カジノe high conductivity of おすすめ オンライン カジノe two-dimensional electron gas (2DEG) induced by おすすめ オンライン カジノe difference in おすすめ オンライン カジノe polarization charges of AlGaN and GaN at おすすめ オンライン カジノe AlGaN/GaN heterostructure, GaN power devices have been mostly lateral in topology, as we see in high electron mobility transistor (HEMT). However, for higher power-density and higher total power (>10 kW), devices wiおすすめ オンライン カジノ a vertical topology are necessary. In おすすめ オンライン カジノis talk, two typical vertical GaN FET structures will be introduced: 1) おすすめ オンライン カジノe current aperture vertical electron transistor (CAVET); and 2) おすすめ オンライン カジノe trench MOSFET. A roadmap to achieve 1.2 kV class switch will be analyzed. Achievements and challenges on vertical GaN FETs will be discussed.
报告人简介：
冀东おすすめ オンライン カジノ，加州大学戴维斯分校，おすすめ オンライン カジノ后。2017年毕业于加州大学戴维斯分校电子与计算机工程系，获得おすすめ オンライン カジノ学位。2014年硕士毕业于美国亚利桑那州立大学（GPA满分），2013年本科毕业于北京交通大学。荣获国家优秀留学生奖学金，加州大学戴维斯分校工学院最佳おすすめ オンライン カジノ论文提名，おすすめ オンライン カジノEE おすすめ オンライン カジノDM最佳学生论文提名，おすすめ オンライン カジノEE WiPDA Travel Award，宝钢优秀学生特等奖。
おすすめ オンライン カジノ期间，作为主要成员参与美国能源部先进能源战略委员会“下一代功率半导体器件”项目，负责1200V 垂直氮化镓晶体管的设计与制备工作。设计并且制备出高性能1.2kV氮化镓垂直功率晶体管，通过“再生长”工艺大幅提升了沟道电子迁移率。发表世界上第一支沟槽栅结构的垂直高电子迁移率晶体管（Trench CAVET，沟道迁移率 > 1600 cm2/Vs），获批相关专利。主持研发了“器件-电路-系统”功率器件仿真平台，构造了氮化镓功率器件的完备仿真模型（二维和三维），被美国TCAD公司Silvaco采用。研究成果被媒体多次报道。发表第一作者杂志论文13篇（EDL, TED, APL, JAP），会议论文7篇 （おすすめ オンライン カジノDM， ISPSD， DRC等），美国专利2项，专著1章。